三星今年將推出224層閃存：性能還會(huì)提升30%

在3D閃存方面，三星之前一直是領(lǐng)先的，不過(guò)美光去年率先量產(chǎn)了176層堆棧的閃存，要想追趕回來(lái)，三星最快今年底能量產(chǎn)224層堆棧的閃存，性能還會(huì)提升30%。

三星的3D閃存V-NAND目前發(fā)展到了第七代，最高176層，原本計(jì)劃在去年底量產(chǎn)，但因?yàn)镹AND閃存價(jià)格下滑等因素，三星選擇推遲量產(chǎn)，今年Q1季度才會(huì)正式量產(chǎn)，導(dǎo)致技術(shù)上稍微落后于美光等公司。

不過(guò)三星在下一代閃存上有望追回來(lái)，最快今年底明年初推出第八代V-NAND閃存，堆棧層數(shù)首次超過(guò)200層，之前傳聞是228層，現(xiàn)在的說(shuō)法是224層，相當(dāng)于在128層基礎(chǔ)上再堆棧96層。

消息稱，三星的224層閃存性能也很不錯(cuò)，數(shù)據(jù)速度提升了30%，同時(shí)生產(chǎn)效率也提高了30%。

此外，三星的224層閃存技術(shù)難度也很高，之前三星是唯一一家使用單堆棧技術(shù)實(shí)現(xiàn)128層閃存的公司，這次的224層則使用了雙堆棧技術(shù)，技術(shù)挑戰(zhàn)十分嚴(yán)峻。